Оперативная память Kingston 4GB DDR3-1600 KVR16N11S8/4
Информация о товаре
faq
Технические характеристики
Оперативная память Kingston 4GB DDR3-1600 KVR16N11S8/4
Оперативная память Kingston 4GB DDR3-1600 KVR16N11S8/4
Основные характеристики
Количество контактов
240
Количество модулей в комплекте
1
Объем одного модуля
4
Форм-фактор
DIMM
Напряжение питания
1.5
Пропускная способность
12800 Мб/с
Тактовая частота
1600
vendorCode
KVR16N11S8/4
Товар сертифицирован
да
Тип памяти
DDR3
Дополнительно
Упаковка чипов
Односторонняя
Количество ранков
1
Количество чипов каждого модуля
8
Другое
Латентность CAS (CL)
11
Гарантия (мес)
1 год
Тайминги
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11